Nuevo modelo de transistores desafiará a la Ley de Moore

Un nuevo modelo de transistores de dos puertos abre el camino para chips más veloces que a la vez tendrán una menor generación de calor y consumo eléctrico. La tecnología podría acortar el período en que hasta ahora se ha duplicado la cantidad de transistores en un chip, desafiando así la denominada Ley de Moore.

La compañía Freescale Semiconductor, en cooperación con la Universidad de Florida, Estados Unidos, ha creado un prototipo de transistores de puerto doble, que podrían ser usados en la producción de microprocesadores de gran capacidad de cálculo, tamaño reducido y menor consumo eléctrico. El prototipo, denominado FinFET, puede ser usado con los métodos existentes de producción de semiconductores.

“El diseño de un chip de silicio que use los transistores FinFET, hace necesario contar con un esquema adecuado, que parta de la base de las características eléctricas de los transistores con el fin de estimular sus intricados y complejos circuitos”, escribe Freescale Semiconductor en una presentación del sistema, referida por USA Today.

“Los procesadores de puertos dobles han de convertirse en un serio candidato para el nodo de tecnología de 45 nanómetros”, comenta Claudine Simson, directora tecnológica de Freescale.

“El modelo de software desarrollado por la Universidad de Florida hace que el transistor avance un nuevo paso hacia su comercialización. Esta tecnología puede abrir la posibilidad de diseñar soluciones de menor tamaño y más ligeras, unidades portátiles que permitirán extender el rendimiento de las baterías, y también unidades más veloces para cálculo, que podrán hacer frente a las exigencias cada vez mayores para el procesamiento de gráficos, video, voz y datos”, añadió Simson.

Según Freescale, diversos desarrolladores ya están empleando su tecnología para desarrollar productos para usuarios finales.

Imagen: Gordon Moore, creador de la ley que lleva su nombre.


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