Intel y Numonyx BV anunciaron un paso clave en la investigación de la memoria de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés), una nueva tecnología de memoria no volátil que combina muchos de los beneficios de los diferentes tipos de memoria de hoy.
Por primera vez, los investigadores han elaborado una tecnología que permite la capacidad de apilar, o colocar múltiples capas de matrices PCMb en una sola oblea. Este desarrollo abre camino para la creación de dispositivos de memoria de alta velocidad con una mayor capacidad, un menor consumo de energía y un ahorro de espacio óptimo para la memoria de acceso aleatorio y las aplicaciones de almacenamiento.
Los logros son el resultado de un programa continuo de investigación conjunta entre Numonyx e Intel, que se centró en la explotación de matrices de células en múltiples capas, o apiladas. Como parte de este proyecto, los investigadores de Intel y Numonyx ahora son capaces de producir una célula de memoria integrada verticalmente, llamada PCM.
Las PCM se componen de un elemento PCM dispuesto en capas, con un Ovonic Threshold Switch (OTS), usado por primera vez, en una verdadera matriz cross point. La capacidad de estructurar en capas o apilar las matrices de PCM proporciona la escalabilidad necesaria para una mayor densidad de memoria, manteniendo las características de desempeño de la PCM, un reto que es cada vez más difícil de mantener con las tecnologías tradicionales de memoria.
Nos sentimos alentados por este hito en la investigación y vemos las tecnologías de memoria del futuro, tales como las PCM, que son críticas para la ampliación del papel de las memorias en soluciones informáticas y en la expansión de las capacidades de rendimiento y ampliación de memoria, dijo Al Fazio, Intel Fellow y Director de Memory Technology Development.
Los resultados son extremamente prometedores, dijo Greg Atwood, Senior Technology Fellow de Numonyx. Los resultados muestran el potencial de mayor densidad, matrices escalables y NAND como modelos de uso de los productos PCM en el futuro. Esto es importante, ya que las tecnologías tradicionales de memoria flash enfrentan ciertos límites físicos y problemas de fiabilidad; sin embargo, la demanda por memoria sigue aumentando en todo, desde teléfonos móviles hasta centros de datos.
Fuente: Intel.
