Intel Corporation ha anunciado un importante salto en la evolución de los transistores. Por vez primera desde la invención de los transistores de silicio, Intel iniciará la producción en masa de transistores creados con estructuras tridimensionales.
Así, la compañía introducirá un diseño de transistores tridimensionales, llamados Tri-Gate, que la compañía ya planteó por primera vez en 2002, y los producirá en grandes volúmenes en el nodo de 22 nanómetros para una generación de chips que Intel ha bautizado con el nombre en clave de Ivy Bridge.
Los científicos e ingenieros de Intel han reinventado el transistor, esta vez lo han hecho abriéndolos a la tercera dimensión, afirma Paul Otellini, presidente y consejero delegado de Intel. Las posibilidades que ofrecen estos nuevos transistores contribuirán a crear dispositivos increíbles que cambiarán el mundo y nos permitirán seguir cumpliendo con la Ley de Moore adentrándonos en nuevos campos, añadió.
Los transistores tridimensionales Tri-Gate permiten a los chips basados en ellos operar a un voltaje más reducido con menores pérdidas eléctricas, con lo que, si se los compara con los transistores más avanzados de la generación anterior, ofrecen una alta combinación de prestaciones y eficiencia energética. Estas posibilidades brindan a los diseñadores de chips la suficiente flexibilidad como para elegir diseños de transistores orientados a un menor consumo energético o a alcanzar máximas prestaciones, dependiendo de la finalidad del chip.
Los transistores tridimensionales Tri-Gate en 22 nanómetros ofrecen un incremento del rendimiento de hasta un 37% en voltajes bajos respecto a los transistores de 32 nm que Intel produce en la actualidad.
Los transistores tridimensionales Tri-Gate se implementarán en el próximo proceso de producción de la compañía, llamado nodo de 22 nm en referencia al tamaño de los elementos de cada transistor. Así, gracias al proceso de 22 nm, en el punto final de esta frase podrían caber más de 6 millones de transistores Tri-Gate.
Fuente: Intel.
