La nueva técnica de fabricación desarrollada por IBM utiliza un material conocido como low-k dielectric que protege los millones de circuitos de cobre del chip, reduciendo los efectos dañinos de las conversaciones cruzadas entre cables, que suelen provocar un descenso en el rendimiento del chip, además de pérdida de energía.
La compañía va a poner en marcha de forma inmediata esta tecnología, para la fabricación de chips personalizados que respondan a las demandas de alto rendimiento y bajo consumo de energía de los equipos de red y servidores Internet de nueva generación. Los primeros chips diseñados con este nuevo proceso estarán disponibles el próximo año.
Este avance representa un cambio fundamental en el modo de fabricación de los chips, asegura John Kelly, director general de la División Microelectrónica de IBM. Junto con la transición de aluminio a cobre para mejorar el cableado interno de los chips, creemos que este descubrimiento ayudará a IBM a mantener el liderato sobre el resto de la industria un par de años más.
Hoy los diseñadores trabajan para mejorar los chips, añadiendo más circuitos y manteniéndolos más juntos en una sola pieza de silicio. El problema es que los circuitos, tan cercanos unos de otros, generan interferencias entre sí -igual que la electricidad estática que aparece en una pantalla de televisión cuando se enciende un aparato cercano-. IBM ha elaborado una fórmula para fabricar chips con low-k dielectric, un material que constituye una protección más eficaz alrededor del cableado del chip, permitiendo que las señales eléctricas se muevan más rápidamente.
Mientras que IBM es propietaria de la técnica de fabricación, el material low-k está disponible comercialmente bajo el nombre de semiconductor dielectrico SiLK(superscript: tm), producido por The Dow Chemical Company.
El uso de materiales y técnicas disponibles comercialmente hacen que este sea el primer proceso viable para la fabricación de chips de cobre utilizando el material low-k.
Para acelerar la introducción de productos basados en este nuevo proceso de fabricación, IBM también ha anunciado hoy una oferta de chips a medida, llamada Cu-11. El diseño de esta gama utiliza las tecnologías low-k y de cobre de IBM para crear chips de 0.11 micras (más de 900 veces más finos que un cabello humano) y puede soportar hasta 40 millones de circuitos. Se espera que Cu-11 fortalezca la posición de IBM como lider mundial como suministrador de chips con circuitos integrados (ASIC). De acuerdo con las cifras de mercado de Dataquest correspondientes a 1999, IBM ha alcanzado el primer puesto como proveedor ASIC a nivel mundial, además de mantener su liderazgo en el mercado norteamericano.
IBM proyecta fabricar kits de diseño Cu-11, incluyendo herramientas de software y servicios, disponibles a partir de julio para ayudar a los clientes a construir una nueva generación de chips personalizados capaces de manejar dispositivos de alto rendimiento, como servidores de Internet, teléfonos móviles de bajo consumo, y equipo de comunicaciones de red avanzados.
Además de los chips personalizables, esta nueva técnica de fabricación también será utilizada para producir futuras generaciones del procesador IBM Power4, destinado a la gama de servidores IBM RS/6000 e IBM AS/400.
Este hito en la fabricación de semiconductores se ha alcanzado después de más de 5 años de trabajo del Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM (SRDC) en Fishkill, Nueva York. IBM ya está produciendo chips con este nuevo proceso low-k en una linea piloto de producción y planea introducir definitivamente esta tecnología en sus procesos de fabricación en la primera mitad del 2001.
