Panasonic Corporation y Renesas Technology Corp. siguen colaborando en la creación de tecnologías de proceso para SoC con nodo de 32 nm de próxima generación. Las dos compañías confían en que su tecnología de estructura de transistor y otros avances se puedan aplicar próximamente en productos de producción masiva.
Se espera que los SoC con nodo de 32 nm ofrezcan numerosas ventajas, como menor coste y mayor rendimiento, gracias a la miniaturización de sus reglas de diseño, aunque todavía existen algunos aspectos técnicos que se deben solventar. En particular, es necesario introducir nuevos materiales y crear tecnologías que rompan las barreras de integración, como escape de puerta de transistor y problemas de inconsistencia en las características eléctricas, que suelen encontrarse en las técnicas existentes.
Ambas compañías han colaborado en el desarrollo conjunto de tecnología SoC de próxima generación, con un resultado exitoso. Por ejemplo, crearon un proceso compuesto DRAM de 130 nm en 2001, un proceso SoC de 90 nm en 2002, un proceso compuesto DRAM de 90 nm en 2004, un proceso SoC de 65 nm en 2005 y un proceso SoC de 45 nm en 2007.
El último desarrollo en el nuevo proceso de fabricación de 32 nm será aplicado para SoC de productos móviles y electrodomésticos.
