SANTIAGO: En el marco de la Conferencia Internacional de Dispositivos de Electrones 2003 de la IEEE (IEDM), celebrada en Washington, DC, AMD ofreció especificaciones adicionales sobre su revolucionario diseño de transistor de silicio sobre aislante (SOI) de próxima generación. Asimismo la empresa entregó nueva información del exitoso uso de la tecnología SOI en sus microprocesadores actuales.
Los transistores SOI incorporan de manera exclusiva, varias de las innovaciones más significativas de AMD en un único diseño. Es un logro importante, parte de una investigación crucial, que permite a AMD seguir satisfaciendo las necesidades de nuestros clientes por alto desempeño y bajo consumo de energía, tanto hoy como en el futuro, dijo Craig Sander, vicepresidente de Desarrollo de Proceso Tecnológico de AMD.
Hacia una Solución de 45 Nanómetros (nm) Completa
Se espera que el nuevo transistor de AMD ofrezca una solución altamente confiable a la mayoría de los retos críticos que se presentarán a partir de la generación de tecnología de 45 nm (o nodo). Un centímetro está compuesto por 10 millones de nanómetros.
Cada vez que los transistores se reducen para una nueva generación tecnológica, surgen mayores retos. Uno de ellos, por ejemplo, es disminuir la fuga eléctrica cuando el transistor está apagado, pero también es importante maximizar el flujo de electricidad cuando el transistor está prendido, aseguró Ming-Ren Li, miembro de AMD. Mientras las investigaciones de otras empresas enfrentan estos problemas de forma individual, AMD busca resolver los problemas como parte de un todo.
Actualmente, el Road Map para Semiconductores Internacional pronostica que las puertas del transistor, la parte primaria de los transistores que enciende y apaga su flujo de electricidad, deben ser de 20 nm como máximo para lograr las proyecciones de desempeño de la generación de 45 nm. Hoy, las puertas más pequeñas de los transistores de alto desempeño de AMD son de 50 nm.
Reducir agresivamente el tamaño de las puertas es fundamental para el creciente desempeño del transistor, tendencia que no se detendrá, añadió Lin. Para mantener a este paso la innovación, es imperativo que los fabricantes líderes de la industria incorporen estructuras de transistor innovadoras, tal como lo ha hecho AMD.
Diseño Multi-Puerta Único
El nuevo diseño de transistor de AMD usa tres puertas, en lugar de una como funcionan los transistores de hoy. El modelo incorpora innovaciones que permiten una escalabilidad de puerta de transistor continua que puede bajar más allá de 20 nm, al mismo tiempo que provee más velocidad y menor fuga de electricidad. Además, el transistor de AMD no depende del uso de materiales dieléctricos de puerta conocidos como high-k, los cuales han demostrado efectos negativos en algunos aspectos del desempeño del transistor.
Hemos utilizado un método estructural que utiliza materiales convencionales sobre nuevas formas para ofrecer una solución comprobada a la dimensión de la puerta de 20 nm. Este es el tipo de innovación necesaria para impulsar los avances tecnológicos exitosamente hacia la nueva década, señaló Lin.
