En la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM), IBM y AMD presentaron documentos que describen el uso de litografía de inmersión, constante dieléctrica de interconexión ultra baja y diversas técnicas mejoradas de tensión del transistor para aplicar a la generación de procesos de microprocesadores de 45nm.
La litografía de inmersión nos permitirá ofrecer mayor definición en materia de diseño de microprocesadores y consistencia en la fabricación, además de incrementar la capacidad de brindar a nuestros clientes productos de alta sofisticación, señaló Nick Kepler, vicepresidente de desarrollo de tecnología lógica de AMD.
La litografía de inmersión emplea un líquido transparente para llenar el espacio entre el lente de proyección del sistema de litografía de repetición step-and-repeat y la oblea que contiene cientos de microprocesadores. Con este adelanto en la litografía se obtiene mayor profundidad de foco y mayor fidelidad de imagen, lo que puede aumentar la eficacia en materia de fabricación y el rendimiento a nivel del chip.
La introducción de la litografía de inmersión y la constante dieléctrica de interconexión ultra baja en 45nm es un primer ejemplo de la exitosa transferencia de tecnología desde nuestro innovador trabajo de investigación en el Albany Nanotech Center hacia la avanzada línea de desarrollo y fabricación de 300mm de IBM en East Fishkill, Nueva York, y la avanzada línea de fabricación de 300mm de AMD en Dresden, Alemania, señaló Gary Patton, vicepresidente de desarrollo de tecnología del Centro de investigación y desarrollo de semiconductores de IBM.
