Intel Corporation y Micron Technology anunciaron la disponibilidad de la memoria flash NAND de 3 bits por celda (3bpc) con la tecnología de proceso de silicio de 25 nanómetros (nm), produciendo así el dispositivo NAND más pequeño y con mayor capacidad de la industria. Intel y Micron esperan estar en plena producción a finales de año.
El nuevo dispositivo de 3bpc con 64 gigabits (Gb) de memoria y tecnología de proceso de 25 nm ofrece una mayor eficiencia de costos y una mayor capacidad de almacenamiento para la competitiva tarjeta flash USB – SD (Secure Digital) y los mercados de electrónica de consumo.
Diseñado por la empresa IM Flash Technologies (IMFT), un emprendimiento conjunto para el desarrollo de flash NAND, la litografía de 64 Gb, u 8 gigabytes (GB), con tecnología de 25 nm almacena tres bits de información por celda, en comparación con la capacidad más reducida de las tradicionales de un bit (Single-Level Cell) o dos bits (Multi-Level Cell).
Con el lanzamiento en enero de la oblea con el tamaño más pequeño de la industria con tecnología de 25 nm, seguido rápidamente por el paso a los 3 bits por celda en 25 nm, continuamos ganando impulso y ofreciéndoles a los clientes un conjunto de productos líderes, dijo Tom Rampone, vicepresidente de Intel y gerente general del Intel NAND Solutions Group.
A medida que la importancia de la memoria NAND sigue aumentando en productos electrónicos de consumo, vemos la transición temprana a la TLC de 25nm como una ventaja competitiva en nuestra creciente cartera de productos de memoria NAND, dijo Brian Shirley, vicepresidente del NAND Solutions Group de Micron.
Fuente: Intel / Micron.
