IBM anuncia transistor de 350 Ghz

IBM ha desarrollado el transistor de silicio más rápido del mundo, capaz de operar a asombrosos 350 gigahertz. Tal velocidad excede en 300% los transistores más rápidos en existencia.

Si bien es cierto ya se han logrado transistores hechos en otros materiales que alcanzan velocidades incluso superiores al dispositivo de IBM, también se trata de productos de laboratorio.

IBM señala que su nueva tecnología hará posible el surgimiento de chips de comunicación que correrán a velocidades de 150 Ghz en un período de dos años. Tales dispositivos resultarán en menores precios y un menor consumo de electricidad, prevé el gigante azul.

Los microprocesadores consisten de millones de transistores. Hasta ahora se ha presupuesto que el silicio en pocos años se convertirá en un material obsoleto en la fabricación de transistores y microprocesadores. Es muy posible que los nuevos transistores de IBM resulten en una extensión de la fecha de caducidad de la tecnología de transitores de silicio.


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