Samsung inicia producción de los primeros móviles de 90nm 512 Mb DRAM

Samsung Electronics anunció que ha empezado a producir productos móviles de 512 Mb DRAM (dynamic random access memory) usando 90nm en circuito.

Esta es la primera vez que el proceso de tecnología a escala nano sea utilizado en la producción de algún DRAM móvil.

Los teléfonos móviles requieren alta banda ancha para procesar gráficas 3D. El móvil de 512Mb DRAM de Samsung transmite data en un canal de 32 bits y puede procesar lo a 1.3 GB por segundo, mejorando en gran escala la capacidad de un producto móvil para el acomodo de imágenes ricas en textura.

Samsung también ofrece una capacidad de memoria para aparatos móviles de un gigabyte cuando dos de sus nuevos 512Mb DRAMs sean incorporados conjuntamente en un paquete dual para satisfacer la demanda de memoria adicional en estos aparatos.

Con la demanda en aumento de graficas 3D en teléfonos celulares y de la resolución de 5Mpixels en teléfonos con cámara, los requerimientos de data procesada totales en estos teléfonos excede el 1GB por segundo y 512Mb en niveles de densidad.

Un DRAM móvil provee una reducción de hasta el 50% en electricidad sobre el SDRAM convencional.

De acuerdo con Dataquest, el volumen de teléfonos móviles enviados alrededor del mundo crecerá 9% en promedio por año entre 2005 y 2010. La demanda por el DRAM móvil aumentara un 114% en promedio anualmente durante el mismo periodo, indicando un crecimiento enorme de producción de memoria en los años que vienen.

En el mes de Octubre Samsung desarrollo la primera memoria GDDR4 (graphics double data rate 4th generation).

Samsung Electronics, que también fue el primero en desarrollar un DRAM móvil de 90nm 512 Mb (anunciado en enero,) es el mayor productor mundial de memorias.


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