Estos dos nuevos dispositivos, que han sido diseñados para uso en el amplificador de potencia de transmisores de equipos inalámbricos handheld, amplifican la salida de alta frecuencia hasta un nivel estipulado y la transmiten a la antena.
Adoptando un nuevo proceso de fabricación, Renesas ha conseguido la mayor eficiencia de la industria con un incremento del sesenta por ciento en el RQA0010 a 3.6 V y del cincuenta y cinco por ciento en el RQA0014. En particular, cuando se implementa un amplificador de dos fases para pilotar el RQA0014 con la salida del RQA0014, el circuito alcanza el máximo nivel de rendimiento: una salida de 1.2 W a 3.6 V.
Antes de diseñar estos dos productos, Renesas analizó el mecanismo por el que ESD causa los daños y optimizó la estructura de cada dispositivo en las zonas donde se producían los deterioros. Como resultado, los nuevos MOSFET mantienen sus características de elevada eficiencia a 20 kV y ofrecen inmunidad ESD nivel 4 requerida en equipos inalámbricos de alta fiabilidad.
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