El nuevo dispositivo alcanza mayor eficiencia de fuente de alimentación y se puede utilizar para memorias o ASIC en productos como ordenadores portátiles y dispositivos de comunicación.
El RJK0383DPA integra un doble Mosfet de potencia de dos tipos diferentes, componiendo un convertidor DC/DC de rectificación síncrona en un encapsulado de elevada radiación térmica WPAK que sólo mide 5.1 x 6.1 x 0.8 mm.
La nueva solución se distingue por un proceso avanzado (Mosfet de potencia de la décima generación). Por ejemplo, la eficiencia al convertir una entrada de 12 V en un salida de 1.1 V es del 91.6% (con frecuencia de conmutación de 600 kHz), la mejor de la industria. La corriente de salida de fuente de alimentación que los MOSFET de potencia gestionan se incrementa al doble en comparación con los primeros productos de tipo dual de Renesas Technology.
El RJK0383DPA también permite un diseño más compacto y mayor densidad de montaje gracias a la reducción de área de montaje de chip a la mitad con respecto a anteriores configuraciones de Mosfet de potencia de encapsulado dual.
Al aumentar la eficiencia de la fuente de alimentación, el RJK0383DPA reduce el área de montaje de chip a la mitad de una configuración Mosfet de encapsulado dual, posibilitando un convertidor DC/DC de rectificación síncrona más compacto y superior densidad de montaje. Por lo tanto, se convierte en una alternativa muy atractiva para aquellas aplicaciones con restricciones de espacio, como los dispositivos móviles.
El RJK0383DPA integra Mosfet de potencia dual de dos tipos diferentes, uno como elemento high-side y otro como elemento low-side. El Mosfet de potencia high-side tiene una carga puerta-drenador (Qgd) de 1.5 nC (con VDD = 10 V) para ofrecer elevada velocidad de conmutación y, consecuentemente, alta eficiencia. El elemento low-side, por su parte, posee una resistencia (RDS (on)) de 3.7 m? (a 4.5 V) para reducir las pérdidas de potencia.
Además, e ha integrado un diodo de barrera Schottky (SBD) en el mismo chip con el Mosfet de potencia low-side para minimizar la inductancia de cableado entre ellos. Esto acelera la conmutación de flujo de corriente en los tiempos muertos del convertidor DC/DC, contribuyendo a reducir aún más las pérdidas. También tiene el efecto de suprimir los picos de tensión durante la conmutación, disminuyendo el ruido.
El proceso de décima generación usado para fabricar el RJK0383DPA logra minimizar las pérdidas y maximizar la eficiencia en comparación con el proceso de novena generación. La resistencia-on es casi un 30% inferior que las series previas, mientras que las características de capacitancia de carga de puerta (Qg) y carga puerta-drenador (Qgd) son un 27 y un 30% menores, respectivamente.
El RJK0383DPA se verá acompañado próximamente por dos productos adicionales que tienen diferentes ratios de corriente de salida, el RJK0384DPA y el RJK0389DPA. En un futuro cercano, estarán disponibles nuevos modelos para responder a las necesidades del mercado de otras especificaciones de fuente de alimentación de convertidor DC/DC.
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